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日本黑金刚电解电容


PMA
●新构造实现了低背化和高CV化。 ●采用导电性高分子电解质,实现了超低ESR/阻抗和优良的耐热性。 ●干扰吸收性优异,能够对应电子设备的数字化、高频化。
PXN
●采用导电性高分子电解质,实现超低ESR。 ●优良的干扰吸收性,对应电子设备的数字化、高频化。 ●优良的ESR特性、高纹波电流、保证105℃ 5,000小时
PXT
●采用导电性高分子电解质,实现超低 ESR。 ●优良的干扰吸收性,对应电子设备的数字化、高频化。 ●优良的 ESR特性、高纹波电流、保证105℃ 15,00
PXJ
●采用导电性高分子电解质,实现超低 ESR。 ●优良的干扰吸收性,对应电子设备的数字化、高频化。 ●优良的 ESR特性、高纹波电流、105℃ 15,000
PXG
●采用导电性高分子电解质、实现超低ESR、高纹波电流。 ●保证105℃ 3,000~15,000小时。 ●额定电压范围:16~ 25V、静电容量范围:10~
PXK
●采用导电性高分子电解质,实现了超低 ESR。 ●具有优良的干扰吸收性,对应电子设备的数字化·高频化。 ●具有优良的 ESR特性、.高纹波电流、105℃ 3
PXS
●采用导电性高分子电解质,实现超低 ESR、高纹波电流。 ●保证105℃ 20,000 小时,长寿命化。 ●额定电压范围 :4 ~ 16V、静电容量范围 :
PXF
●采用导电性高分子电解质,实现超低 ESR。 ●优良的干扰吸收性,对应电子设备的数字化、高频化。 ●优良的 ESR特性、高纹波电流、105℃ 3,000 ~
PXE
●采用导电性高分子电解质,实现超低 ESR。 ●优良的干扰吸收性,对应电子设备的数字化、高频化。 ●优良的 ESR 特性、高纹波电流、105℃ 15,000
PXA
●采用导电性高分子电解质,实现超低 ESR化。 ●优良的干扰吸收特性,对应电子设备的数字化、高频化。 ●保证105℃ 3,000 ~ 15,000小时,优良
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